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- 职位描述
- 长晶研发工程师：
1、硕士以上学历，凝聚态物理、半导体物理、材料、物理、化学、微电子等相关专业；
2、具有SiC，III-V族，II-VI族，单晶硅等晶体生长或外延等相关经验；
3、工作主动负责、态度积极、良好沟通能力、注重团队合作精神；
4、具备一定的学习能力和自我管理能力，可独立完成交代任务；
5、具有专利撰写与期刊文献发表能力。
岗位职责：
1、负责SiC长晶专案计划、文件制定、原物料评估；
2、负责SiC长晶量产工艺调试和优化；
3、负责SiC长晶量产工艺成本的降低以及生产过程中的异常处理；
4、负责专利撰写与期刊文献发表；
5、负责日常长晶良率的改善与提升。
- 企业介绍
- 是从事碳化硅半导体单晶生长、衬底研发和生产的高新技术企业，碳化硅生产
- 工作地址
-
济南
400
